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元器件采购网 > T-1023页 > FET - 阵列TPCS8208(TE12L,Q,M

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TPCS8208(TE12L,Q,M

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) Toshiba 168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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TPCS8208(TE12L,Q,M参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8TSSOP
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:17 毫欧 @ 4.8A,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:22nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2160pF @ 10V
功率 - 最大:600mW
安装类型:表面贴装

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